问题描述：1、显影：推荐使用D-23、D-76显影液 D-23低反差微粒显影液 D-76微粒显影液 清水（52℃） 750ml 750ml 米吐尔(美多) 7.5g 2.0g 无水亚硫酸钠 100.0g 100.0g 对苯二酚(坚安) 5.0g 硼砂2.0g 加水至 1000ml 1000ml 配制时须按上述顺序溶解配制，原液使用，不用稀释，温度20℃时，显影时间6--10分钟。 胶卷的反差随显影搅拌强弱而变化，搅拌越快，反差越高。显影过程应控制好搅拌强度。 如有需要，可适当延长显影时间以提高胶卷感光度。 2、停影：这是停止显影的过程，显影后将胶卷浸入2?醋酸溶液，时间20秒。 3、定影：推荐使用F-5酸性定影液 硫代硫酸钠(海波) 240.0g 无水亚硫酸钠 15.0g 28?醋酸 48ml 硼酸7.5g 钾矾15.0g 加水至 1000ml 定影的作用是去除胶卷上没有感光的乳剂,因此要保证这些乳剂全部清除干净。使用新鲜的酸性定影液,定影时间5-10分钟。 4、水洗:用流动清水漂洗,时间至少在15分钟以上。 5、干燥:为避免干燥时产生水渍而影响照片的制作,可用专用的海绵(泡沫塑料)或挤干了水的大块脱脂棉轻轻擦干片面上的水渍,然后悬挂至干,也可在温度30-40℃的干燥柜或常温下干净无尘处进行干燥。

回答(1).实际曝光能量需根据干膜种类、厚度或油墨种类/厚度/烘烤时间确定，正常线路曝光使用能量40 -- 120mj/cm2，油墨曝光能量150-500mJ/cm2，具体以曝光尺为准；线路曝光尺5 --8格，油墨的曝光尺做到9 --13格。 曝光时必须抽真空充分，以免曝光不良，一般要求650mmHg以上真空度； 显影时，显影点控制在50 --70?内，压力1.5 --2.0kg/cm2。 曝光过度会导致显影不净；曝光能量不足会导致显影过度。 具体不明白的地方可给我留言

回答(2).(1)酯基、羰基、碳碳双键任答两种(2)加成 (3) (4)

回答(3).D-7 显影液 （底片、相纸通用） 温水 30~45℃ 750ml 米吐尔 3g 无水亚硫酸钠 45g 对苯二酚（几奴尼） 12g 无水碳酸钠 67.5g 溴化钾 2g D-76型 粒显影液 （底片用） 温水 52℃ 750ml 米吐尔 2g 无水亚硫酸钠 100g 对苯二酚（几奴尼） 5g 硼砂 2g D-19型 高反差强力显影液 （全息用） 温水 50℃ 800ml 米吐尔 2g 无水亚硫酸钠 90g 对苯二酚（几奴尼） 8g 无水碳酸钠 48g 溴化钾 5g 注：将药剂依次溶于温水后，加水至1000ml。

回答(4).直接用google搜英文资料，关键词是“spray developing"。喷射显影的方式有几种，binary spray，fan spray等等，你也可以找一本光刻工艺书了解，也可以加到搜索关键词中。原理是通过二元喷嘴用压缩空气或氮气将显影液在喷嘴出口击碎，以一定压力喷射在硅片表面，将处于沟槽结构内失效显影液及时置换出来，保持该处显影液的反应速度。当然，也可以是普通压力喷嘴，喷嘴产生的雾形也可以是多种多样的。 喷涂显影的说法是不对的，涂是涂覆的意思，对应英文是coating。

回答(5).一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙（热板150～250C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。涂底2、涂底（Priming）方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。旋转涂胶3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85??涂后约占10～20?；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。软烘4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7?；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；边缘光刻胶的去除5、边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。方法：a、化学的方法（Chemical EBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘处，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；b、光学方法（Optical EBR）。即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解；对准6、对准（Alignment）对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；b、通过对准标志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。曝光7、曝光（Exposure）曝光中最重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法：a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～5......

回答(6).通过混合一定比例的三甲胺，三乙胺，和碳酸二甲酯，合成四甲基铵和三乙基单甲基铵碳酸单甲酯混合物中间体。然后经过水解，纯化，电解工序得到四甲基氢氧化铵和三乙基单甲基氢氧化铵混合铵显影液溶液。同时也可通过加入碳酸二乙酯得到更多种类烷基结构的烷基氢氧化铵水溶液。所得到的不同链长结构的烷基氢氧化铵混合铵显影液具有生产价格低，工艺简单，金属含量低，适合细精度窄线宽要求的短波长光源工艺的显影需求。

回答(7).COB芯片板上组装技术　　1．混合集成技术 当今电子产品的趋势，在一个小型组件或整机内，不断集成越来越多的器件和功能。混合集成技术成为增加包含有源与无源器件封装密度的关键技术之一。 在混合集成各个步序，器件与电路间的互连，某些无源器件如电阻器等，直接在基板上采用厚膜或薄膜工艺淀积制成。混合集成电路基板布局布线的设计有许多重要的参数；导线宽度，导线与键合盘最近连接的布线，键合强度，键合引线弧环的高度，热耗散等都必须加以考虑。 厚膜集成电路工艺，器件与电路间的互连，导线与电阻都是在基板上，采用各种功能浆料印刷烧结而成。薄膜集成电路工艺，互连与导线采用电镀或其他PD方法淀积在陶瓷基板上，光刻所需导电图形，电阻与其他无源器件可印刷或焊接工艺装连。当基板上的无源表贴器件全部装连完成后，芯片粘贴设备将电路芯片粘贴到基板的给定位置，接下使用键合设备进行金丝或铝丝的键合，实现芯片与基板电路间的电气连接，最后封装。 混合集成技术能在一个非常小的基板上集成大量电路芯片和小型无源器件。如果采用标准T表面贴装工艺，势必要占用比混合集成技术高达20倍的。 混合集成电路过程需要对半导体晶圆工艺，以及芯片组装和键合工艺的全面掌握。一些小不具备这些条件，而且小批量混合电路组件，其成本相对是昂贵的。然而混合集成电路的应用涉及，，军用，汽车与通讯领域，在这些领域中，混合集成电路技术是不可缺少的。 2.COB芯片直接板上组装技术 许多年来，业界致力于混合集成电路技术的优势，但在成本没获突破。因此至今印制板组装工艺在复杂电路装联仍不失为最好的选择。只需对某些方面进行改进、裸芯片板上直接装连键合工艺无疑是容易，可靠的。 COB芯片直接板上组装技术首先用于数字钟，手表。每块印制、电路板装有一块芯片，现已广泛应用于数码相机，计算器，卡与各种智能卡。COB在复杂的电路组件如装有5,个LED与IC驱动组合的的打印机模块，先进数据处理电路32bitHP计算机母板安装22个IC与一块modem电路等产品扩大了应用。 今天在单块印制板组装超过个芯片的多芯片工艺也得到成功，日本的娱乐设备及乎所有电子组件都已采用COB技术，在某些应用领域COB大有取代T之势。 成本表明DIP封装成本经常高出其内含的芯片三倍之多。采用COB技术，省去了封装成本可显著降低，着在大批量生产尤为突出。 COB技术在欧州起步晚，应用领域也正在不断扩大，至今仍然无法与得以广泛应用的日本和美国相比，尤其在高组装密度与薄型封装的应用方面。 3．COB组装工艺 芯片板上直接组装模块与混合集成电路的工艺是非常类似的。其主要的差别是两者使用的基本材料与封装形式，COB使用的基板是有机印制电路板，而后者是陶瓷基板。COB的裸芯片被高分子有机树脂包封或球形塑封，混合集成电路最后使用金属外壳封装。与标准T组装工艺比较，COB与混合集成组装制过程的工艺步序较少。 印制板或PCB是由许多不同材料制成，如酚醛树脂，聚氨基甲酸树脂，聚酰胺树脂，有机硅，氟塑料等等，氟塑料（聚四氟乙稀）在高温环境下，具有高电阻的特性，聚氨基甲酸树脂能适应特别大的温度变化，如汽车电子，在非常高的温度条件，要求极小的热膨胀系数，此时氟塑料是最能胜任的。 通常，COB印制板使用的导线材料为铜基导线，键合盘需要进行表面处理，在铜基材上镀复2-4μm镍，接下再镀复0.1-0.2μm金(CuNiAu) 使用含银环氧导电胶将芯片粘接到印制板安装位置，在℃固化。功率器件的散热问题是通过芯片背面与粘接的印制板的铜层形成热路，最后组装时，冷却板固定安装在散热指或封装体上。 芯片与印制板间的电路连......

回答(8).一般用丙酮清洗，但丙酮有腐蚀性，可能会腐蚀管道。另外接触丙酮要带抗丙酮手套