问题描述：1、显影：推荐使用D-23、D-76显影液 D-23低反差微粒显影液 D-76微粒显影液 清水（52℃） 750ml 750ml 米吐尔(美多) 7.5g 2.0g 无水亚硫酸钠 100.0g 100.0g 对苯二酚(坚安) 5.0g 硼砂2.0g 加水至 1000ml 1000ml 配制时须按上述顺序溶解配制，原液使用，不用稀释，温度20℃时，显影时间6--10分钟。 胶卷的反差随显影搅拌强弱而变化，搅拌越快，反差越高。显影过程应控制好搅拌强度。 如有需要，可适当延长显影时间以提高胶卷感光度。 2、停影：这是停止显影的过程，显影后将胶卷浸入2?醋酸溶液，时间20秒。 3、定影：推荐使用F-5酸性定影液 硫代硫酸钠(海波) 240.0g 无水亚硫酸钠 15.0g 28?醋酸 48ml 硼酸7.5g 钾矾15.0g 加水至 1000ml 定影的作用是去除胶卷上没有感光的乳剂,因此要保证这些乳剂全部清除干净。使用新鲜的酸性定影液,定影时间5-10分钟。 4、水洗:用流动清水漂洗,时间至少在15分钟以上。 5、干燥:为避免干燥时产生水渍而影响照片的制作,可用专用的海绵(泡沫塑料)或挤干了水的大块脱脂棉轻轻擦干片面上的水渍,然后悬挂至干,也可在温度30-40℃的干燥柜或常温下干净无尘处进行干燥。

回答(1).D-7 显影液 （底片、相纸通用） 温水 30~45℃ 750ml 米吐尔 3g 无水亚硫酸钠 45g 对苯二酚（几奴尼） 12g 无水碳酸钠 67.5g 溴化钾 2g D-76型 粒显影液 （底片用） 温水 52℃ 750ml 米吐尔 2g 无水亚硫酸钠 100g 对苯二酚（几奴尼） 5g 硼砂 2g D-19型 高反差强力显影液 （全息用） 温水 50℃ 800ml 米吐尔 2g 无水亚硫酸钠 90g 对苯二酚（几奴尼） 8g 无水碳酸钠 48g 溴化钾 5g 注：将药剂依次溶于温水后，加水至1000ml。

回答(2).实际曝光能量需根据干膜种类、厚度或油墨种类/厚度/烘烤时间确定，正常线路曝光使用能量40 -- 120mj/cm2，油墨曝光能量150-500mJ/cm2，具体以曝光尺为准；线路曝光尺5 --8格，油墨的曝光尺做到9 --13格。 曝光时必须抽真空充分，以免曝光不良，一般要求650mmHg以上真空度； 显影时，显影点控制在50 --70?内，压力1.5 --2.0kg/cm2。 曝光过度会导致显影不净；曝光能量不足会导致显影过度。 具体不明白的地方可给我留言

回答(3).(1)酯基、羰基、碳碳双键任答两种(2)加成 (3) (4)

回答(4).一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙（热板150～250C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。涂底2、涂底（Priming）方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。旋转涂胶3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85??涂后约占10～20?；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。软烘4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7?；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；边缘光刻胶的去除5、边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。方法：a、化学的方法（Chemical EBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘处，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；b、光学方法（Optical EBR）。即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解；对准6、对准（Alignment）对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；b、通过对准标志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。曝光7、曝光（Exposure）曝光中最重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法：a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～5......

回答(5).光刻胶（英语：photoresist），亦称为光阻或光阻剂，是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。

回答(6).通过混合一定比例的三甲胺，三乙胺，和碳酸二甲酯，合成四甲基铵和三乙基单甲基铵碳酸单甲酯混合物中间体。然后经过水解，纯化，电解工序得到四甲基氢氧化铵和三乙基单甲基氢氧化铵混合铵显影液溶液。同时也可通过加入碳酸二乙酯得到更多种类烷基结构的烷基氢氧化铵水溶液。所得到的不同链长结构的烷基氢氧化铵混合铵显影液具有生产价格低，工艺简单，金属含量低，适合细精度窄线宽要求的短波长光源工艺的显影需求。

回答(7).直接用google搜英文资料，关键词是“spray developing"。喷射显影的方式有几种，binary spray，fan spray等等，你也可以找一本光刻工艺书了解，也可以加到搜索关键词中。原理是通过二元喷嘴用压缩空气或氮气将显影液在喷嘴出口击碎，以一定压力喷射在硅片表面，将处于沟槽结构内失效显影液及时置换出来，保持该处显影液的反应速度。当然，也可以是普通压力喷嘴，喷嘴产生的雾形也可以是多种多样的。 喷涂显影的说法是不对的，涂是涂覆的意思，对应英文是coating。

回答(8).显影。用作印刷电路板制作中的光刻显影剂。