回答(1).版本不同，M版本更新

回答(2).一般情况下，用于设备上的芯片程序都会加密，非专业人员不能读出程序代码，如果不涉及知识产权，可以考虑找专业解密公司给你解密，成功后会给你你需要的系统和客户程序代码。

回答(3).IC型号：K9F1208U0C IC描述：FLASH存储器 IC厂商：Samsung semiconductor 概述 在64Mx8bit提供的K9F1208X0B是512M比特容量的备用16M位.该器件提供1.8V, 2.65V, 3.3V Vcc.及其 NAND 电池提供了大量的固态存储市场最具成本效益的解决方案.一个程序可以进行操作 典型200µs的528-byte页面和一个可以进行擦除操作典型2ms上16K-byte块.页面中的数据 可以读出50ns每字节的周期时间.该I / O pins充当地址和数据输入/输出以及命令的端口 输入.片上写控制自动完成所有程序和擦除包括脉冲的重复，在必要的功能，内部 核查和裕度的数据.即使是写密集型系统可以利用K9F1208X0B′s扩展的可靠性优势 100K编程/擦除通过提供实时映射出算法ECC（错误纠正代码）周期.是一本K9F1208X0B 最佳的解决方案大型非易失性存储应用，如固态文件存储和其他需要便携式应用 非波动. IC型号：SN54LVT16245B IC描述：3.3-V ABT 16-BIT 总线收发器，3-STATE输出 IC厂商：Texas Instruments IC型号：74LVT16245B IC描述：3.3 V 16-bit transceiver; 3-state IC厂商：NXP Semiconductors LVT16245B两个厂家，功能一样封装一样 该74LVT16245B; 74LVTH16245B是一种高性能的BiCMOS产品设计 V CC 行动于3.3 V. 这个装置是一个16-bit收发器具有不兼容输出相3-state 总线 在发送和接收方向.最小化的控制功能的实现 外部时序要求.该器件具有输出使能轻松输入(nOE) 层叠和控制方向为方向输入(nDIR) IC型号：CY7C1041DV33 IC描述：4-Mbit (256K x 16)静态RAM IC厂商：Cypress Semiconductor IC型号：IS41LV16100B-50TL IC描述：1M x 16 (16-MBIT)动态RAM与EDO页模式 IC厂商：Integrated Silicon Solution, Inc 描述 该 ISSI IS41LV16100B是1,048,576 x 16-bit高perfor - 曼斯CMOS动态随机存取存储器.这些 器件提供一个加速周期访问称为EDO 页面模式. EDO页模式允许1,024随机ac- 正如事实一行内的访问时间短周期 作为20 ns每16-bit字. 这些特性使得非常适合于IS41LV16100B 高带宽的图形，数字信号处理，高 高性能计算系统，及周边 申请 当做内存用的是CY7C1041DV33

回答(4).艾普科技NPF-6683烧录器是专为批量烧写NAND Flash而量身定做的工具，它具有如下特征： 一、 功能介绍 该款烧录器支持16MByte（128Mbit）到8GByte（64Gbit）的NAND Flash的快速烧录，适合具有预装资料的GPS导航仪，MP4，PDA，学习机，数码相框，硬盘播放机，游戏机，电子书，点读机，语音地图机，监控类等产品在大规模生产中使用，加密CF卡，加密U盘，加密SD卡等存储工具的Flash原始数据复制（直接PC端复制不可用），它具有如下特征： 1.采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧录，烧录过程实时校验，绝对保证数据的正确； 2.烧录速度接近NAND Flash的速度极限，512Mbit小页面Flash速度约1.4MByte/秒（带校验），8Gbit大页面SLC架构Flash编程速度约3MByte/秒（带校验），8Gbit大页面MLC架构Flash编程速度约2MByte/秒（带校验）。 3.标配4.3寸超大真彩液晶屏，一切操作可视化，触摸屏及按键双输入方式，无需连接电脑,方便用户实时观察烧录过程； 4.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧录方式： （1）母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash; （2）文件方式烧写:用户可将指定文件置于U盘或编程器内置硬盘，本方式读出文件内容按指定方式（可支持特殊文件系统）写入Flash; 5.可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作： （1）对母片拷贝方式，可设置特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间； （2）可读取指定Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布； （3）可独立擦除指定的Flash，可独立扫描指定Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于屏幕； （4）可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况； （5）可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于屏幕，并可顺序浏览每一处不同； 6.可根据用户的特殊要求修改软件，按你的特殊要求量身定做，修改周期不超过3个工作日，且可定制特殊的文件系统； 7.支持带操作系统的NAND Flash数据烧写，如WINCE操作系统的XIP/BINFS情况下Flash分区的坏块管理，解决了目前市面上的编程器在NAND Flash上的文件系统分区区域内出现坏块单纯跳过而造成的操作系统无法正确运行或文件无法正常读写的问题。 二、 支持的Flash列表(TSOP、8BIT、3.3V) 1,三星 K9F2808U0*、K9F1208U0* 、K9F5608U0*、K9F1G08U0*、K9F2G08U0*、K9F4G08U0*、 K9F8G08 、 K9WAG08、 K9F5608U0*、 K9F1208U0*、 K9F1G08U0*、 K9F6408U0*、 K9K1208U0* 、 K9K1G08U0*、 K9K2G08U0*、 K9K4G08U0*、 K9K8G08U0*、K9G8G08*、K9GAG08U0*、K9LAG08U0......

回答(5).检查下板子上的BMS或者NAND的跳线设置，at91sam9260是某种启动顺序来找启动代码的，如果都找不着，才会连SAM－BA 查看原帖>>

回答(6).建议采用外部存储芯片来存储这些数据。 K9F1208U0C我没有用过。自己查查这块芯片的资料吧。